2012年8月17日
東レは2012年8月17日、単層カーボン・ナノチューブを用いた薄膜トランジスタ(CNT-TFT)を塗布プロセスで作製し、キャリア移動度2.5cm2/Vs、オン/オフ比として10の6乗(100万対1)を得たと発表した。10の6乗のオン/オフ比は、CNT-TFTとしては世界最高水準。同社はディスプレー用TFTへの利用に向けて開発を続けるという。
CNT-TFTは多くの研究機関やメーカーが開発中である。これまで塗布プロセスで作製した例では、オン/オフ比が10の3乗(1000対1)程度のものが多かった。ドライ転写法での作製例では、キャリア移動度こそ1000cm2/Vs台と高いものがあるが、オン/オフ比は10の5乗(10万対1)止まりだった。
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